三星近日（1/30）发表全球首款 1TB 储存容量的嵌入式通用快闪记忆体 eUFS 2.1，将把智慧型手机内建储存空间带向 TB 等级，因此传出 SAMSUNG Galaxy S10 系列手机可能将成採用这项产品。三星 1TB eUFS 2.1 快闪记忆体採用第 5 代 V-NAND 技术，由 16 层 512GB 记忆体堆叠与全新控制器组成，其封装尺寸控制在与 512GB 版本相同，让消费者能轻鬆享有大容量储存体验，且无须在透过记忆卡扩充；其顺序读取速度为 1,000MB/s，顺序写入速度为 260MB/s，随机读取速度为 58,000IOPS，随机写入速度为 50,000IOPS，整体速度都比前以往快上许多。三星确认 2019 上半年将会扩大 512GB V-NAND 产线，以应付全球对于 1TB 快闪记忆体的需求。