今天宣布，与美国国家先进工业科学技术研究所(AIST)无处不在的MEMS和微工程研究中心合作开发了一种镓多单元结构中的氮化物 - 高电子迁移率晶体管(GaN-HEMT)(并联排列的多个晶体管单元)直接键合到具有高导热率的单晶金刚石散热基板上。多电池GaN-HEMT与单晶金刚石基板的直接结合被认为是世界上第一个。*新型GaN-on-Diamond HEMT将提高移动通信基站和卫星通信系统中高功率放大器的功率附加效率，从而有助于降低功耗。三菱电机将在2025年商业发布之前完善GaN-on-Diamond HEMT。

*根据三菱电机2019年9月2日的研究

该研究成果首次在9月2日至5日在日本名古屋大学举行的固态器件和材料国际会议(SSDM)上首次公布。

三菱电机负责GaN-on-Diamond HEMT的设计，制造，评估和分析，AIST开发了直接键合技术。该成就的一部分是基于新能源和工业技术开发组织(NEDO)委托的项目获得的结果。