让一些新的memsistors让路。

多年来，计算机行业一直在寻求具有比商用闪存更高耐用性，更低成本和更高能效的存储器技术。现在，科学家的国际合作可能通过发现可以存储信息的薄分子薄膜解决了许多这些挑战。

耶鲁大学，新加坡国立大学(NUS)和印度科学培养协会(IACS)的科学家们已经开发出新的“memsistor”器件，持续1万亿次循环 - 远远超过了计算机商用闪存的耐久性。memsistor是具有存储器的电阻器部件;它可以调节电路中的电流，同时记住通过它的电荷水平。

10月23日发表于Nature Materials杂志在线版的研究中描述了这一发现。

“这些设备在计算应用方面具有巨大潜力，特别是在神经形态和逻辑电路中，”耶鲁化学教授Victor Batista说，他是该研究的合着者，研究小组的负责人，其中包括耶鲁大学研究生Adam Matula和耶鲁大学博士后学生Svante Hedstrom。“我们帮助生成的这些器件的分子级理解在存储器件中是前所未有的，这使我们能够为下一代器件创建设计原则。”

神经形态计算试图模拟人类大脑的结构。它涉及具有模拟中枢神经系统中神经结构的电子模拟电路的系统。

对电阻式存储器件进行了大量研究，特别是那些用无机材料制成的器件。使用有机材料的装置被认为太不一致且不稳定以用于商业用途。但Batista及其同事创造的新型memsistors具有一层有机复杂金属，可提供耐用且制造成本较低的选择。

巴蒂斯塔表示，尽管这一发现具有巨大潜力，但必须进行更多研究，以更多地了解新型memsistors的信息存储特性。“在这方面最令人惊讶的部分是如何在没有太多外部控制的情况下生长的分子膜如何能够在数万亿次循环中重复打开和关闭所有分子，”他说。“即使我们将其缩小到纳米范围，这种现象仍然是一致的。这些分子就像电子海绵一样，我们仍然不明白电荷是如何平衡的。”