布里斯托大学的研究人员成功地展示了新材料的高导热性，为更安全，更高效的电子设备铺平了道路 - 包括移动电话，雷达甚至电动汽车。

由设备热成像与可靠性中心(CDTR)的Martin Kuball教授领导的团队发现，通过制造超纯氮化硼，可以首次证明其导热系数，其功率为550W / mk是铜的两倍。

该论文：通过控制硼同位素浓度调节六方氮化硼的热导率，今天发表在Communications Physics上。

库巴尔教授解释说：

“大多数半导体电子产品在使用时会升温。它们越热，它们降解的速度就越快，性能也会降低。随着我们越来越依赖电子设备，寻找具有高导热性的材料变得越来越重要这可以提取废热。

“氮化硼就是这样一种材料，据预测其导热系数为550 W / mK，是铜的两倍。然而，迄今为止的所有测量结果都表明其导热系数要低得多。令人兴奋的是，通过制造这种材料'超-pure'，我们已经能够首次展示其非常高的导热能力。“

库巴尔教授表示，下一步是开始用氮化硼制造有源电子器件，并将其与其他半导体材料集成。

“为了展示超纯氮化硼的潜力，我们现在有一种材料可以在不久的将来用于制造高性能，高能效的电子产品。”

“这一发现的意义非常重要。当然，我们对电子产品的依赖只会随着我们使用移动电话和采用电动汽车而增加。使用更有效的材料，如氮化硼，以满足这些需求将导致更好的性能移动电话通信网络，更安全的运输，最终更少的发电站。“